1400度小型化学气相沉积CVD系统
- 电炉类型:高温电炉
- 电阻炉名称:1400度小型化学气相沉积CVD系统
- 电阻炉类型:管式炉
- 电阻炉品牌:SGM
- 电阻炉规格:
- 电阻炉温度:1400℃
- 咨询热线:400-600-3293
1400度小型CVD系统是由SGMM TF80-14真空管式炉、混气系统、真空系统组成。混气系统可选2、3、4、5路混气,流量计可选浮子流量计或质子流量计。真空系统可选低真空或高真空。更多详细配置组合可联系我们。
SGMM TF80-14真空管式炉采用硅钼棒加热,加热温度可达1400度,长期使用1300℃。1400度管式炉炉管采用99刚玉,直径为φ80。
高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。
高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。
化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法,是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积薄膜材料的技术,包括大范围的绝缘材料,以及大多数金属材料和金属合金材料。为此我们研发成套的CVD镀膜系统,适用于各大高校材料实验室、科研院所、环保科学等领域;
1、炉体采用双层风冷壳体结构,炉体表面温度低
2、加热丝采用优质硅碳棒加热,温场均匀,能耗低;
3、生长腔体采用99刚玉,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;
4、炉膛采用高纯氧化铝多晶体纤维,不易掉粉、寿命长且保温性能好。
5、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;
6、气路系统采用2路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;
7、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;
8、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制;
9、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。
电炉名称 |
1400度管式炉 |
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产品型号 |
SGM-TF80-1400 |
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工作温度 |
≤1350℃ |
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炉管材质 |
99刚玉 |
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炉管尺寸 | φ80*1200mm | ||||||||
加热区尺寸 |
310mm |
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恒温区尺寸 | 220mm | ||||||||
升温速率 |
≤20℃/min |
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电气规格 |
AC?220V? 4.5KW |
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控制系统 |
智能温控 |
气体系统(可选购) |
流量计类型 |
浮子流量计 |
质量流量计 |
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管道示意图 |
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进气接口数量 |
2、3、4(多路可选) |
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流量范围 |
20-200/60-600l/min(多量程可选) |
50/100/200sccm(多量程可选) |
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工作压差范围 |
0-0.15MPa |
低真空系统(可选购) |
真空泵型号 |
SGM-1.5C |
SGM-3C |
SGM-4C |
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抽气速率 |
1L/s |
3L/s |
4L/s |
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进排气口尺寸 |
Φ8mm宝塔接头 |
Φ8mm宝塔接头 |
KF16/25 |
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极限压力 |
1000Pa |
100Pa |
10Pa |
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工作温度 |
5-40℃ |
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电气规格 |
AC220V |
分子泵高真空系统 (可选购) |
分子泵系统型号 |
SGM-103(A) |
SGM-103(B) |
SGM-103(C) |
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抽气速率 |
110L/s |
600L/s |
700L/s |
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真空测量计 |
复合真空计 |
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极限压力 |
10^-3Pa |
10^-4Pa |
10^-5Pa |
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工作温度 |
5-40℃ |
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电气规格 |
AC?220V |
AC 220V |
AC 380V |
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