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小型CVD系统
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1400度小型化学气相沉积CVD系统

  • 电炉类型:高温电炉
  • 电阻炉名称:1400度小型化学气相沉积CVD系统
  • 电阻炉类型:管式炉
  • 电阻炉品牌:SGM
  • 电阻炉规格:
  • 电阻炉温度:1400℃
  • 咨询热线:400-600-3293

1400度小型CVD系统是由SGMM TF80-14真空管式炉、混气系统、真空系统组成。混气系统可选2、3、4、5路混气,流量计可选浮子流量计或质子流量计。真空系统可选低真空或高真空。更多详细配置组合可联系我们。

SGMM TF80-14真空管式炉采用硅钼棒加热,加热温度可达1400度,长期使用1300℃。1400度管式炉炉管采用99刚玉,直径为φ80。

高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法,是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积薄膜材料的技术,包括大范围的绝缘材料,以及大多数金属材料和金属合金材料。为此我们研发成套的CVD镀膜系统,适用于各大高校材料实验室、科研院所、环保科学等领域;

结构特点:

1、炉体采用双层风冷壳体结构,炉体表面温度低

2、加热丝采用优质硅碳棒加热,温场均匀,能耗低;
3、生长腔体采用99刚玉,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;
4、炉膛采用高纯氧化铝多晶体纤维,不易掉粉、寿命长且保温性能好。
5、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;
6、气路系统采用2路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;
7、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;
8、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制;
9、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。

1400度管式炉主要技术参数:

电炉名称 1400度管式炉

产品型号

SGM-TF80-1400

工作温度

≤1350℃

炉管材质

99刚玉

炉管尺寸 φ80*1200mm

加热区尺寸

310mm

恒温区尺寸 220mm

升温速率

≤20℃/min

电气规格

AC?220V? 4.5KW

控制系统

智能温控

混气系统

气体系统(可选购)

流量计类型

浮子流量计

质量流量计

管道示意图

进气接口数量

2、3、4(多路可选)

流量范围

20-200/60-600l/min(多量程可选)

50/100/200sccm(多量程可选)

工作压差范围

0-0.15MPa

低真空系统

低真空系统(可选购)

真空泵型号

SGM-1.5C

SGM-3C

SGM-4C

抽气速率

1L/s

3L/s

4L/s

进排气口尺寸

Φ8mm宝塔接头

Φ8mm宝塔接头

KF16/25

极限压力

1000Pa

100Pa

10Pa

工作温度

5-40℃

电气规格

AC220V

高温真空系统:


分子泵高真空系统

(可选购)

分子泵系统型号

SGM-103(A)

SGM-103(B)

SGM-103(C)

抽气速率

110L/s

600L/s

700L/s

真空测量计

复合真空计

极限压力

10^-3Pa

10^-4Pa

10^-5Pa

工作温度

5-40℃

电气规格

AC?220V

AC 220V

AC 380V

小型1400度CVD系统

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